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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HUF75321D3S

1个N沟道 耐压:55V 电流:20A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
HUF75321D3S
商品编号
C3281344
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
管装
商品毛重
0.627克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)55V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))36mΩ@10V
耗散功率(Pd)93W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)44nC@20V
输入电容(Ciss)680pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用,如汽车、DC/DC转换器,以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用。

商品特性

  • 20A,55V
  • 温度补偿PSPICE和SABER模型
  • 提供热阻SPICE和SABER模型
  • 仙童半导体所有产品均在ISO9000和QS9000质量体系认证下进行制造、组装和测试。

应用领域

-开关稳压器-开关转换器-电机驱动器-继电器驱动器-低压总线开关-便携式和电池供电产品的电源管理

数据手册PDF