FQE10N20CTU
N沟道,电流:4.0A,耐压:200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQE10N20CTU
- 商品编号
- C3280343
- 商品封装
- TO-126-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 4.0A、200V,RDS(on) = 0.36 Ω(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷(典型值20 nC)
- 低Crss(典型值40.5 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善dv/dt能力
应用领域
-高效开关式DC/DC转换器-开关模式电源-不间断电源用DC-AC转换器-电机控制