FQE10N20CTU
N沟道,电流:4.0A,耐压:200V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQE10N20CTU
- 商品编号
- C3280343
- 商品封装
- TO-126-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 塑料包覆式引脚
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG）
- 雪崩额定
- 2500V电气隔离
- 低封装电感
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- PFC电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制