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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDY4001CZ

互补N/P通道MOSFET,电流:200mA,耐压:20V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDY4001CZ
商品编号
C3280281
商品封装
SOT-563F​
包装方式
编带
商品毛重
0.024克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))9Ω@1.8V
耗散功率(Pd)625mW
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.4nC@4.5V
输入电容(Ciss)100pF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)30pF

商品特性

  • Q1:N沟道
  • VGS = 4.5 V、ID = 200 mA时,最大rDS(ON) = 5 Ω
  • VGS = 2.5 V、ID = 175 mA时,最大rDS(ON) = 7 Ω
  • VGS = 1.8 V、ID = 150 mA时,最大rDS(ON) = 9 Ω
  • Q2:P沟道
  • VGS = -4.5 V、ID = -150 mA时,最大rDS(ON) = 8 Ω
  • VGS = -2.5 V、ID = -125 mA时,最大rDS(ON) = 12 Ω
  • VGS = -1.8 V、ID = -100 mA时,最大rDS(ON) = 15 Ω
  • 静电放电保护二极管
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 电平转换
  • 电源转换器电路
  • 负载/电源开关,用于手机、寻呼机

数据手册PDF