NDS9430
P沟道,电流:5.3A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS9430
- 商品编号
- C3279891
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V,5.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 528pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 12 mΩ
- 14 A、30 V，在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 9 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关
- FLMP SO-8封装：在行业标准封装尺寸下增强了热性能
应用领域
- DC/DC转换器
- 电源管理
- 负载开关