SSD2007ATF
双N沟道,电流:2.0A,耐压:50V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SSD2007ATF
- 商品编号
- C3279877
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 增强的电感耐用性
- 快速开关时间
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 低输入电容
- 扩展的安全工作区
- 提高的高温可靠性
- 表面贴装封装:8SOP