商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@8.8A,10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 24nC@5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.604nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺，具有坚固的栅极结构。它针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V - 25V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在VGS = - 4.5 V时,RDS(ON) = 35 mΩ
- -8.8 A,-30 V;在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 20 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为17nC)
- 快速开关速度
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- SO-8封装
应用领域
-电源管理-负载开关-电池保护