SI4835DY
P沟道,电流:-8.8A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI4835DY
- 商品编号
- C3279871
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 545pF |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.035 Ω
- 8.8 A,-30 V。在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.020 Ω
- 适用于电池应用的扩展VGSS范围(±25V)
- 低栅极电荷(典型值19nC)
- 快速开关速度
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
应用领域
-电池保护-负载开关-电机驱动