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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.265nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 685pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术，拥有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 市场上导通电阻最低的产品之一
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss / Ciss比，具备抗电磁干扰能力
- 高雪崩耐量
- 可焊侧翼封装
应用领域
- 开关应用