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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 41W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.265nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 685pF |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用STripFET F7技术，拥有增强型沟槽栅极结构，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 12 A时,最大导通电阻rDS(on) = 9.0 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 10.5 A时,最大导通电阻rDS(on) = 14.0 mΩ
- 先进的封装与硅技术结合,实现低导通电阻rDS(on)和高效率
- MSL1级坚固封装设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步降压电路的低端开关,为核心处理器供电
- 次级侧同步整流器
- 负载点(POL)DC/DC转换器中的低端开关
- 或门FET/负载开关