RMA7N20ED1
N沟道,电流:0.7A,耐压:20V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RMA7N20ED1
- 商品编号
- C3277683
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 550mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款 N 沟道 MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺制造，该工艺经过特别设计，可最大程度降低导通电阻和开关损耗。添加了 G-S 齐纳二极管以提高 ESD 电压等级。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 0.7A
- RDS(ON) < 0.26 Ω @ VGS = 2.5 V
- RDS(ON) < 0.22 Ω @ VGS = 4.5 V
- 低导通电阻
- 高速开关
- 无卤
应用领域
- 负载开关