FQB7N60TM-WS
1个N沟道 耐压:600V 电流:7.4A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB7N60TM-WS
- 商品编号
- C3277642
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,3.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 142W；3.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.43nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来卓越的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和极低的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 75A，55V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER模型
- 可从网络获取热阻SPICE和SABER模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性负载（UIS）额定曲线
- 相关文献
应用领域
- Switching regulators
- Switching converters
- Motor drivers
- Relay drivers
- Low-voltage bus switches
- Power management in portable and battery-operated products