FQB3N40TM
N沟道,电流:2.5A,耐压:400V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB3N40TM
- 商品编号
- C3277577
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管的反向恢复时间极短、存储电荷极低。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 2.5A、400V,VGS = 10V时,RDS(导通) = 3.4Ω
- 低栅极电荷(典型值6.0nC)
- 低Crss(典型值4.2pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关模式电源-基于半桥的电子镇流器