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FQB6N60TM
N沟道,电流:6.2A,耐压:600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB6N60TM
- 商品编号
- C3277556
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面 DMOS 技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、功率因数校正以及基于半桥的电子镇流器。
商品特性
- 8.0A、500V，VGS = 10V 时，RDS(on) = 0.8Ω
- 低栅极电荷（典型值 41 nC）
- 低 Crss（典型值 35 pF）
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高效开关模式电源-功率因数校正-基于半桥的电子镇流器