NTB23N03RT4
N沟道,电流:23A,耐压:25V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTB23N03RT4
- 商品编号
- C3277470
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 37.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 48pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDMesh™ 将低导通电阻、快速开关的优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。
商品特性
- 提供无铅封装
- 采用平面HD3e工艺,实现快速开关性能
- 低RDS(on),以最小化传导损耗
- 低Ciss,以最小化驱动器损耗
- 低栅极电荷
- 针对高效DC-DC转换器中的高端开关要求进行优化
应用领域
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥式电路