CPH3427-TL-E
1个N沟道 耐压:100V 电流:1A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3427-TL-E
- 商品编号
- C3277413
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 630mΩ@10V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF@20V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
主要设计用于30 - 500MHz的宽带大信号输出和驱动。N沟道增强型MOSFET
商品特性
- 在500 MHz、28 Vdc条件下保证性能
- 输出功率 = 20 W
- 增益 = 13.5 dB
- 效率 = 50%
- 可替代MRF136、V2820、BLF244、SD1902和ST1001等行业标准器件
- 针对所有相位角下30:1电压驻波比（VSWR）的负载失配进行100%测试
- 便于手动增益控制、自动电平控制（ALC）和调制技术实现
- 出色的热稳定性，非常适合A类工作
- 低Crss — 在VDS = 28 V时为4.0 pF