CPH3340-TL-E
1个P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3340-TL-E
- 商品编号
- C3277411
- 商品封装
- CPH-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.875nF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺设计，旨在优化特殊MLP引线框架上VGS = 2.5 V时的rDS(on)，且所有漏极位于封装的一侧。
商品特性
- 低导通电阻
- 超高速开关
- 2.5V驱动
应用领域
- 锂离子电池组