温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 754pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
飞兆半导体先进的2.5V指定功率沟道(PowerTrench)工艺与先进的球栅阵列(BGA)封装相结合,使FDZ293P最大限度地减少了印刷电路板(PCB)空间和RDS(ON)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破,使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低RDS(ON)等优点。
商品特性
- 4.6 A, -20 V,rDS(on) = 46 m Ω(VGS = -4.5 V 时)
- rDS(on) = 72 m Ω(VGS = -2.5 V 时)
- 仅占用 2.25 mm^2 的PCB面积,不到SSOT - 6封装面积的50%
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于 0.85 mm
- 出色的热传递特性:比SSOT - 6封装好4倍
- 超低的 Qg x rDS(on) 品质因数
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护