FDZ493P
P沟道,电流:-4.6A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ493P
- 商品编号
- C3277345
- 商品封装
- BGA-9(1.55x1.55)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 754pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
FDZ493P将先进的2.5V特定PowerTrench工艺与先进的BGA封装工艺相结合,最大限度地减少了PCB空间和rDS(on)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破,使该器件兼具出色的热传递特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低rDS(on)。
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -4.6 A时,最大rDS(on) = 46 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -3.6 A时,最大rDS(on) = 72 mΩ
- 占用2.25 mm2的PCB面积,不到SSOT - 6面积的50%。
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于0.80 mm。
- 出色的热传递特性:比SSOT - 6好4倍。
- 超低的Qg × rDS(on)品质因数。
- 符合RoHS标准。
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护