FDZ2553N
N沟道,电流:9.6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ2553N
- 商品编号
- C3277343
- 商品封装
- BGA-18(2.5x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.299nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 166pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 317pF |
商品特性
- 9.6 A、20 V。VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 14 mΩ
- VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 20 mΩ
- 仅占用0.10 cm2的印刷电路板(PCB)面积:为小外形封装(SO - 8)面积的1/3。
- 超薄封装:安装到印刷电路板(PCB)上时高度小于0.80 mm。
- 出色的热传导特性:明显优于小外形封装(SO - 8)。
- 超低的Qg × RDS(ON)品质因数
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护