FDZ2553NZ
N沟道MOSFET,电流:9.6A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ2553NZ
- 商品编号
- C3277342
- 商品封装
- BGA-18(2.5x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（rDS(ON)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- R D S (O N) = 2 0 m Ω(V G S = 2. 5 V 时)
- 9.6 A、20 V,RDS(ON) = 14 m Ω(VGS = 4.5 V 时)
- 仅占用 0.10 ~cm^2 的PCB面积,为SO - 8封装面积的1/3。
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于 0.70 mm。
- 静电放电(ESD)保护二极管
- 出色的热传导特性:明显优于SO - 8封装。
- 超低的 Qg x RDS(ON) 品质因数
- 高功率和高电流处理能力
应用领域
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护