FDZ7296
N沟道,电流:11A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDZ7296
- 商品编号
- C3277341
- 商品封装
- BGA-18(2.5x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDZ7296将先进的PowerTrench工艺与先进的BGA封装相结合,最大限度地减少了PCB空间和RDS(ON)。这款BGA MOSFET体现了封装技术的突破,使该器件兼具出色的热传导特性、高电流处理能力、超薄封装、低栅极电荷和低RDS(ON)。
商品特性
- 11 A、30 V。 RDS(ON) = 8.5 m Ω @ VGS = 10 V
- R D S (ON) = 12 m Ω @ V G S = 4.5 V
- 仅占用 0.10 ~cm^2 的PCB面积,为SO - 8封装面积的1/3。
- 超薄封装:安装到PCB上时高度小于 0.80 mm。
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 针对低Qg和Qgd进行优化,实现快速开关并减少CdV/dt栅极耦合
应用领域
- 用于服务器和笔记本电脑应用的DC - DC转换器中的高端MOSFET