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DOZ50N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- N管/30V/50A/7.5mΩ(典型5.8mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ50N03
- 商品编号
- C36499165
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.10254克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.105nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 30 V，漏极电流 (ID) = 50 A，在栅源电压 (VGS) = 10 V 时，导通状态下的漏源电阻 (RDS(ON)) = 7.5 mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证雪崩能量 (EAS)
- 有环保型器件可供选择。