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DOD20N06

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@10V,10A
功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.3nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.15nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)45.3pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

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