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DC004NG-B
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- N管/30V/100A/4mΩ(典型3.3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DC004NG-B
- 商品编号
- C36499185
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 88W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻(RDS(on))。它可应用于多种领域。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30 V,漏极电流(ID) = 100 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 4 mΩ
- 低栅极电荷
- 有环保型产品可选
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 采用散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电机驱动-电池保护-同步整流