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DOZ30P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- P管/-30V/-30A/15mΩ(典型12mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOZ30P03
- 商品编号
- C36499166
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09576克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = -30 V,漏极电流(ID) = -30 A,当栅源电压(VGS) = -10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能良好
应用领域
- 功率分配和电池管理(电子保险丝和断开开关)-浪涌电流限制(电容器充电、电机浪涌电流)-慢速开关以最小化电压瞬变和电磁干扰(电催化加热器)-漏源电压钳位(电感性能量耗散、过压保护)