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ZC010DNG
2个N沟道 耐压:30V 电流:35A
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- 描述
- N+N管/30V/35A/11mΩ(典型9.2mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- ZC010DNG
- 商品编号
- C36499170
- 商品封装
- DFN3x3-8D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09754克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.005nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 116pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 35 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 10 mΩ
- 改善了dv/dt能力
- 快速开关
- 100%保证EAS
- 有绿色环保器件可供选择