温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- N管/60V/0.3A/2300mΩ(典型1800mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C36499173
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.785nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 29pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 60 V, ID = 0.3 A, RDS(ON) < 2.3 Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
- 封装散热性能良好。
- 具备ESD保护功能。