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DOD40P03
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- P管/-30V/-40A/15mΩ(典型12mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD40P03
- 商品编号
- C36499177
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4506克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 144pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 159pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -40A，当栅源电压（UGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15mΩ（典型值：12mΩ）
- 低栅极电荷
- 有环保器件可供选择
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 出色的封装，利于散热
- MSL3