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DOD120N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- N管/30V/120A/4mΩ(典型3mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOD120N03
- 商品编号
- C36499180
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44652克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 120 A,RDS(ON) < 4 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷。
- 提供环保型器件。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低 RDS(ON)。
- 封装散热性能出色。