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DOS4614S
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6.7A
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- 描述
- N+P管/40V/6A/35mΩ(典型28mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS4614S
- 商品编号
- C36499172
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1798克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
这款N+P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(on)。它可用于各种应用场景。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = 6.7 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 35 mΩ
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -6 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 90 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力。
- 产品符合无铅要求。
- 采用表面贴装封装。