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DOS4435
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- P管/-30V/-10A/15mΩ(典型13mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DOS4435
- 商品编号
- C36499171
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.229nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 159pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下可提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -30 V,ID = -10 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 15 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低RDS(ON)
- 出色的封装,具有良好的散热性能
应用领域
- PWM 应用、负载开关、电源管理、LED 调光，满足汽车应用的严格要求。