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DON120N03
N沟道 30V 120A
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- 描述
- N管/30V/120A/3.3mΩ(典型2.6mΩ)
- 品牌名称
- DOINGTER(杜因特)
- 商品型号
- DON120N03
- 商品编号
- C36499169
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17508克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 155W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.218nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 340pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(on),适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 120 A,当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 3.3 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装散热性能良好
应用领域
- PWM应用与负载开关，满足汽车应用的严格要求。