温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMZ1511E
耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:150V 电流:0.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_150V_0.1A_0.5W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMZ1511E
- 商品编号
- C3031417
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@8uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V~0V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 5.4pF |
商品概述
WMO15N10T1采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别优化，可在最小化导通电阻的同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS = 100 V，ID = 14.6 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(on) < 90 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(on) < 105 mΩ
- 提供环保器件
- 栅极电荷低
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 100%保证耐雪崩能力
应用领域
- 电源管理开关-DC/DC转换器