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FTS01N15G
150V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 增强型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTS01N15G
- 商品编号
- C3031435
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 320.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120.5pF |
商品特性
- 增强静电放电(ESD)能力
- 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻RDS(ON)
- 坚固的多晶硅栅极单元结构
- 符合RoHS标准
- 提供无卤版本
- SOT - 223封装
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 逻辑电平转换器
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