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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FTE15C35G

N沟道+P沟道 增强型MOSFET

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描述
N+P双通道MOSFET,采用平面工艺设计,可靠性高,性能优异,SOP-8双芯小型化封装,N、P管耐压350V,N-MOSFET额定电流ID=300mA,P-MOSFET额定电流ID=200mA;可作为中高压功率开关管/负载开关使用,适合用于电源管理、电机驱动、工业控制等多个领域。
品牌名称
ARK(方舟微)
商品型号
FTE15C35G
商品编号
C3031434
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.16克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)350V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))30Ω@10V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)43.39pF
反向传输电容(Crss)0.84pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道

商品特性

  • 专有先进平面技术
  • 坚固的多晶硅栅极单元结构
  • 快速开关速度
  • 符合 RoHS 标准
  • 可提供无卤版本

应用领域

  • 电源管理
  • 负载开关
  • 电机驱动器

数据手册PDF