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FTS10N15G
1个N沟道 耐压:150V 电流:0.35A
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- 描述
- 增强型MOSFET_N-Channel_150V_0.5A_6W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- FTS10N15G
- 商品编号
- C3031428
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 32.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 17.2pF |
商品概述
这款新型耗尽型MOSFET采用专有UltraVt技术开发。它具有高阈值电压。通过利用亚阈值特性，耗尽型MOSFET可以为负载稳定供电，并且无需齐纳二极管即可钳位电压以保护负载，同时降低了电路功耗。
商品特性
- 改进的ESD能力
- 耗尽模式（常开）
- 专有先进平面技术
- 专有先进超高阈值电压技术
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 快速充电器
- 电流源
- 电压源
- Type-C/PD充电器