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DMD4523E
耗尽型功率MOSFET 1个N沟道 耐压:450V 电流:3.75A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMD4523E
- 商品编号
- C3031421
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@8uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 158.82nC@6V~0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.54pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62.8pF |
商品特性
- 增强型静电放电（ESD）能力
- 耗尽型（常开）
- 专有先进平面工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 提供无卤版本
- SOT-23封装
应用领域
- 新能源汽车
- 工业自动化
- 浪涌保护
- 非隔离线性电源
- 常开开关
- 线性放大器
- 恒流源
- 电信