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AKF30N5P0SX
30V N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 增强型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- AKF30N5P0SX
- 商品编号
- C3031426
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 59A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.527nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 151pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品概述
这种新型耗尽型MOSFET具有高阈值电压。通过利用亚阈值特性，耗尽型MOSFET可以为负载稳定供电，并且无需齐纳二极管即可钳位电压以保护负载，同时降低了电路功耗。
商品特性
~~- 改进的ESD能力-耗尽型(常开)-专有先进平面技术-专有先进超高阈值电压技术-符合RoHS标准-可提供无卤产品
应用领域
- 快速充电器
- 电流源
- 电压源
- Type-C/PD充电器
- QC2.0/3.0充电电路