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AKF20P45D
P沟道+P沟道 增强型MOSFET
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- 描述
- P+P双通道Trench工艺MOSFET，具备优异性能与高可靠性。ESD增强设计(HBM)＞2500V，采用DFN 2x2 双芯封装提供出色散热能力，同时实现小型化；导通电阻小：35mΩ@VGS=-4.5V,50mΩ@VGS=-2.5V，160mΩ@VGS=-1.5V；ID=-4.5A通流能力，支持并联应用以满足更高功率需求，是电动汽车控制、电源管理及工业自动化等领域的理想选择。
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- AKF20P45D
- 商品编号
- C3031425
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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