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DMZ6012E
耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.04A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_600V_0.04A_0.5W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMZ6012E
- 商品编号
- C3031423
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 62pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -0.66 A
- 栅源电压（VGS） = -4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） < 0.52 Ω
- 栅源电压（VGS） = -2.5 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） < 0.78 Ω
- 支持高密度印刷电路板（PCB）制造
- 低电压驱动，使该器件适用于便携式设备
- 采用先进的沟槽工艺技术
- 具备静电放电（ESD）保护