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DMS6014E
耗尽模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.08A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_600V_0.1A_2.0W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMS6014E
- 商品编号
- C3031424
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 62pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 增强型静电放电(ESD)能力
- 耗尽型(常开)
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
- SOT-223封装
应用领域
- 常开开关
- 开关电源(SMPS)启动电路
- 线性放大器
- 转换器
- 恒流源
- 电信
- AKF20P45D
- AKF30N5P0SX
- AKF30N10S
- FTS10N15G
- FTZ15N35G
- FTX15N35G
- FTZ30P35G
- FTX30P35G
- FTE15C35G
- FTS01N15G
- AKP10M60R
- WJ126V-5.0-02P-16-00A
- WJ126V-5.0-04P-16-00A
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- WJ300V-5.0-02P-12-00A
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- WJ103-5.0-07P-14-00A
- WJ126V-5.0-03P-14-00A
- WJ2EDGRM-5.08-06P-14-00A