温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMS6014E
耗尽模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.08A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_600V_0.1A_2.0W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMS6014E
- 商品编号
- C3031424
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 62pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 增强型静电放电（ESD）能力
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 提供无卤版本
- SOT-23封装
应用领域
- 高效开关模式电源（SMPS）
- 适配器/充电器
- 有源功率因数校正（PFC）