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DMZ6005E
耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.02A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMZ6005E
- 商品编号
- C3031422
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@8uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.55nC | |
| 输入电容(Ciss) | 12.3pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 增强型静电放电（ESD）能力
- 耗尽型（常开）
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
- SOT-223封装
应用领域
- 常开开关
- 开关电源（SMPS）启动电路
- 线性放大器
- 转换器
- 恒流源
- 电信