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DMS4022E
1个N沟道 耐压:400V 电流:0.24A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_400V_0.24A_1.5W
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMS4022E
- 商品编号
- C3031420
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 240mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25Ω@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 103.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 17.7pF |
商品概述
WMB85N06T2采用先进的功率沟槽技术，该技术经过特别优化，可将导通电阻降至最低，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 85 A
- 当VGS = 10 V时，RDS(on) < 3.6 mΩ
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(on) < 5.4 mΩ
- 低RDS(on)
- 低栅极电荷
- 100%保证EAS
应用领域
- 电源管理开关-AC/DC快速充电器的同步整流