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DMZ1521E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMZ1521E

高阈值电压耗尽模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:150V 电流:0.2A

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描述
耗尽型MOSFET_N-Channel_150V_0.2A_0.5W
品牌名称
ARK(方舟微)
商品型号
DMZ1521E
商品编号
C3031415
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.065克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))15Ω@0V
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)3nC
输入电容(Ciss)12.8pF
反向传输电容(Crss)3.3pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
输出电容(Coss)5.4pF

商品特性

  • 快速开关速度
  • 低导通电阻
  • 小尺寸封装
  • 典型静电放电保护:2500V
  • 符合RoHS标准
  • 可提供无卤产品

应用领域

  • 便携式设备的充电器开关和负载开关-DC/DC转换器

数据手册PDF