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DMZ1315E
耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:130V 电流:0.1A
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- 描述
- 耗尽型MOSFET_N-Channel_130V_0.1A_0.5W_SOT-23
- 品牌名称
- ARK(方舟微)
- 商品型号
- DMZ1315E
- 商品编号
- C3031413
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.063克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 130V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30Ω@0V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 27V@8uA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 增强静电放电（ESD）能力
- 耗尽型（常开）
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合 RoHS 标准
- 提供无卤版本
应用领域
- 常开开关
- 开关电源（SMPS）启动电路
- 线性放大器
- 转换器
- 恒流源
- 电信