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AP6P06MI

P沟道增强型MOSFET,电流:6A,耐压:60V

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商品型号
AP6P06MI
商品编号
C3024672
商品封装
SOT-23-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)31.3W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)12.1nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.137nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)76pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP6P06MI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -6A
  • RDS(ON) < 90 mΩ@ VGS = 10V(典型值:80 mΩ)

应用领域

-无刷电机-负载开关-不间断电源

数据手册PDF