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AP7P15D
P沟道增强型MOSFET,电流:-7A,耐压:-150V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP7P15D
- 商品编号
- C3024695
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 706pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP9P20D是硅P沟道增强型VDMOS场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
- VDS = -150V ID = -7A
- RDS(ON) < 780 mΩ@ VGS = 10V(典型值:620 mΩ)
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源