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AP7P15D

P沟道增强型MOSFET,电流:-7A,耐压:-150V

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商品型号
AP7P15D
商品编号
C3024695
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
1.3克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on))780mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)10.8nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)706pF
反向传输电容(Crss)13pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)23pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP7P15D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = -150V ID = -7A
  • RDS(ON) < 780 mΩ@ VGS = 10V(典型值:620 mΩ)

应用领域

  • 无刷电机
  • 负载开关
  • 不间断电源

数据手册PDF