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HD1001

超高速GaN FET驱动器

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描述: HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。
品牌名称: QH MICRO-E(乾鸿微)
商品型号: HD1001
商品编号: C3024761
商品封装: TDFN-6-EP(2x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.014克(g)

商品参数

商品概述

HD1001型超高速GaN FET驱动器具有快速开关频率和低延迟、窄脉宽、低失真、驱动能力强等特性；尤其适用于高分辨率、远程激光雷达发射机系统，同样也适用于其它需要高频开关驱动器的应用场合，例如DC/DC变换器、自动驾驶辅助系统ADAS、电源调制器等。HD1001具有欠压锁定(UVLO)和过温保护(OTP)，以确保设备在意外故障情况下的安全性。该产品采用塑封DFN6L（2mm*2mm）封装，工作温度范围为 -40°C ~ 125°C。

商品特性

电源电压：5V
单通道驱动器，驱动GaN或Si MOSFET
同相或反相输入
最小脉冲宽度：1.5ns
上升、下降延迟时间：3ns
上升、下降时间：1ns
输出驱动器电流7A（pull-up）/4A（pull-down）
封装形式：塑封DFN6L（2mm*2mm）
工作温度：-40°C ~ 125°C

应用领域

激光雷达发射机
自动驾驶辅助系统ADAS
DC/DC变换器
电源调制器

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(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	7A
	工作电压	5V
	上升时间(tr)	1ns

	属性	参数值
	下降时间(tf)	1ns
	传播延迟 tpLH	3ns
	传播延迟 tpHL	3ns
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.7V~2.6V
	静态电流(Iq)	300uA