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AP20H02S
20V双N沟道增强型MOSFET,电流:20A,耐压:20V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP20H02S
- 商品编号
- C3024703
- 商品封装
- SOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@4.5V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.458nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AP20H04NF采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 20A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ @ VGS = 4.5 V(典型值:6.2 mΩ)
应用领域
- 3.3V MCU驱动
- 负载开关
- 不间断电源