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AP15P06D

P沟道,电流:18.8A,耐压:60V

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商品型号
AP15P06D
商品编号
C3024676
商品封装
TO-252-3​
包装方式
编带
商品毛重
0.46克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18.8A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@10V
耗散功率(Pd)34.7W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)9.86nC@4.5V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.447nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)97.3pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

AP15P06D采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = - 60V ID = - 18.8A
  • RDS(ON)< 70 m Ω@ VGS=10 V(典型值:53 m Ω)

应用领域

-无刷电机-负载开关-不间断电源

数据手册PDF