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AP2P15MI
P沟道增强型MOSFET,电流:2.7A,耐压:150V
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- 品牌名称
- APM(永源微电子)
- 商品型号
- AP2P15MI
- 商品编号
- C3024694
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 620mΩ@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.8nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 706pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP8205A - 21采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 150V ID = - 2.7A
- RDS(ON)< 780 m Ω@ VGS=10 V (典型值:620 m Ω )
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源